化學機械平坦化工藝)以形成互連層406a。在各個實施例中，襯底402可以是任何類型的半導體主體(例如，硅、sige、soi等)，諸如半導體晶圓和/或晶圓上的一個或多個管芯，以及任何與其相關(guān)的其它類型的半導體和/或外延層。在一些實施例中，ild層904可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實施例中，導電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個實施例中，互連層406a可以是互連線層、第二互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。如圖10的截面圖1000所示，在互連層406a的上表面上方形成多個底電極通孔408。多個底電極通孔408由介電層1002圍繞。在一些實施例中，介電層1002可以沉積在互連層406a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內(nèi)的沉積工藝形成多個底電極通孔408。在各個實施例中，介電層1002可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個實施例中，多個底電極通孔408可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個底電極通孔408上方形成多個mtj器件106、204和206。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，期待為您服務(wù)！江西IC電子料回收聯(lián)系方式

可以在多個mtj器件106、204和206上方沉積第二ild層1102，并且然后選擇性地圖案化第二ild層1102以限定頂電極通孔開口。然后通過沉積工藝在頂電極通孔開口內(nèi)形成多個頂電極通孔410。在各個實施例中，第二ild層1102可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個實施例中，多個頂電極通孔410可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個mtj器件106、204和206上方的第三ild層1104內(nèi)形成第二互連層406b。在一些實施例中，第二互連層406b包括限定存儲單元202a,1的位線bl1和一條或多條字線wl1至wl2的多個互連結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，第三ild層1104可以包括通過一個或多個沉積工藝(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的電介質(zhì)(例如，氧化物、低k電介質(zhì)或k電介質(zhì))?？梢酝ㄟ^選擇性地蝕刻第三ild層1104以在第三ild層1104內(nèi)形成開口來形成第二互連層406b。然后在開口內(nèi)沉積導電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如，化學機械平坦化工藝)以形成第二互連層406b。如圖12的截面圖1200所示，可以在存儲單元202a,1上方形成第二存儲單元202b,1。第二存儲單元202b。江西IC電子料回收聯(lián)系方式電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司。

固定層110具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對自由層114的磁沖擊。在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括附加層。例如，在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括位于底電極通孔408和固定層之間的反鐵磁層。在其它實施例中，mtj中的一個或多個可以包括以各種方式布置的附加固定層(例如，附加固定層、第二附加固定層等)和/或附加自由層(例如，附加自由層、第二附加自由層等)以改進mtj的性能。圖4b示出了對應(yīng)于圖2的存儲器陣列102的集成芯片414的一些可選實施例的截面圖。集成芯片414包括布置在襯底402上方的介電結(jié)構(gòu)404。介電結(jié)構(gòu)404圍繞存儲單元202a,1。存儲單元202a,1包括工作mtj器件106和具有調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206的調(diào)節(jié)訪問裝置108。介電結(jié)構(gòu)404還圍繞多個導電互連層406a至406f。多個導電互連層406a至406f包括互連層406a，互連層406a在存儲單元202a,1的工作mtj器件106、調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)。互連層406a通過第二互連層406b和多個通孔412a連接至存儲單元202a,1的工作mtj器件106、調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206。第三互連層406c具有離散的互連結(jié)構(gòu)。

對更多的存儲器的需求也增加，從而使得集成芯片設(shè)計者和制造商必須增加可用存儲器的量，同時減小集成芯片的尺寸和功耗。為了達到這個目標，在過去的幾十年間，存儲單元組件的尺寸已經(jīng)不斷縮小。mtj器件超越其它存儲器類型的一個優(yōu)勢是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram單元中，驅(qū)動晶體管(即，存取晶體管)用于在讀取和/或?qū)懭氩僮髌陂g選擇性地向相關(guān)的mtj器件提供電壓和/或電流。因為mram單元通常對寫入操作使用相對高的電壓和/或電流，所以驅(qū)動晶體管的尺寸可能相對較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸，但是相對大尺寸的驅(qū)動晶體管限制了存儲器陣列內(nèi)的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實施例中，本發(fā)明涉及集成芯片，該集成芯片包括具有多個存儲單元(例如，mram單元)的存儲器陣列，存儲單元不包括驅(qū)動晶體管(即，不使用驅(qū)動晶體管來對存儲單元提供電壓和/或電流)。而且，多個存儲單元分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對存儲器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問。調(diào)節(jié)訪問裝置具有連接至工作mtj器件的一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件。一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件被配置為通過控制(即。電子料回收哪家好，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選！

在介電層220以及心軸圖案231、232和233的上方設(shè)置間隔層260。間隔層260包括與介電層220和心軸圖案231、232和233不同的一種或更多種材料，使得間隔層260針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性?？梢酝ㄟ^cvd工藝、pvd工藝、原子層沉積(ald)工藝或其他合適的沉積技術(shù)形成間隔層260。參照圖4e，針對間隔層260執(zhí)行蝕刻工藝，因此定義側(cè)壁間隔件261至266。側(cè)壁間隔件261(類似地，262至266)在此可以稱為第二心軸圖案。如圖4e中所示，心軸圖案231在蝕刻之前存在。圖4f中示出蝕刻掉心軸圖案231后的結(jié)果(例如，側(cè)壁間隔件261和262保留)。在一些實施例中，在261與262之間獲得的節(jié)距(在一些實施例中也稱為距離、間隔、分辨率、特征分辨率或特征分隔距離)比使用提供圖4b的抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的光刻可獲得的節(jié)距小或精確。參照圖4f，執(zhí)行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除心軸圖案231、232和233，并且保留側(cè)壁間隔件261至266。261形成為側(cè)壁，并且在一些實施例中，將在后面的工藝步驟中被蝕刻掉，因此它是間隔件?？偠灾?，261可以被稱為側(cè)壁間隔件。側(cè)壁間隔件261至266在方向x上具有節(jié)距p3和p4以及寬度w3。與一個心軸圖案對應(yīng)的兩個側(cè)壁間隔件(例如。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，有需要可以聯(lián)系我司哦！江西IC電子料回收聯(lián)系方式

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圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。具體實施方式下面結(jié)合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進行說明。圖1是實施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的是截面結(jié)構(gòu)。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結(jié)合于芯板1表面的上覆銅層2以及結(jié)合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽(例如環(huán)形槽7；第二環(huán)形槽8；第三環(huán)形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。江西IC電子料回收聯(lián)系方式

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