可控硅模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到商品的運用壽數(shù)和短時過載才華，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在運用中有必要裝備散熱器和風機，主張選用帶有過熱維護功用的商品，有水冷散熱條件的優(yōu)先挑選水冷散熱。咱們經(jīng)過嚴肅測算，斷定了不一樣類型的商品所大概裝備的散熱器類型，推薦選用廠家配套的散熱器和風機，用戶自備時按以下準則挑選：

1、軸流風機的風速應(yīng)大于6m/s ；

2、有必要能確保模塊正常作業(yè)時散熱底板溫度不大于80℃；

3、模塊負載較輕時，可減小散熱器的大小或選用天然冷卻；

4、選用天然辦法冷卻時散熱器周圍的空氣能結(jié)束對流并恰當增大散熱器面積；

5、悉數(shù)緊固模塊的螺釘有必要擰緊，壓線端子聯(lián)接強健，以削減次生熱量的發(fā)生，模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊，以抵達良好散熱作用。 淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創(chuàng)造更大利益！東營高壓可控硅模塊供應(yīng)商

接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞，工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋，然后將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，此時萬用表指針應(yīng)不動。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。 東營高壓可控硅模塊供應(yīng)商淄博正高電氣有限公司憑借多年的經(jīng)驗，依托雄厚的科研實力。

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優(yōu)勢，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎，下面正高來詳細的說下可控硅模塊。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。

正高可控硅擁有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前，正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點，應(yīng)用于各行業(yè)，**省內(nèi)外地區(qū)。 

可控硅模塊的分類   

可控硅模板從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTCMTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKCMZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTGMDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。 淄博正高電氣有限公司尊崇團結(jié)、信譽、勤奮。

正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽極：一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。

  只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止狀態(tài)相當于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關(guān)。 淄博正高電氣有限公司不斷從事技術(shù)革新，改進生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。東營高壓可控硅模塊供應(yīng)商

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任何的東西都有其使用的壽命，可控硅也不例外，可控硅模塊使用時間長了，它的溫度就會升高，如果溫度過高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法：

1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計，溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高，溫度計的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時進行。

2 可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定：被測可控硅模塊溫升的測定，通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行，也可單獨進行，被測減速機在符合規(guī)定時，讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度

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