硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)中的硅光與芯片的耦合方法及其硅光芯片,方法包括以下步驟:將硅光芯片粘貼固定在基板上,硅光芯片的端面耦合波導(dǎo)為懸臂梁結(jié)構(gòu),具有模斑變換器;通過(guò)圖像系統(tǒng),微調(diào)架將光纖端面與耦合波導(dǎo)的模斑變換器耦合對(duì)準(zhǔn),固定塊從側(cè)面緊挨光纖并固定在基板上;硅光芯片的輸入端和輸出端分別粘貼墊塊并支撐光纖未剝除涂覆層的部分;使用微調(diào)架將光纖端面與模斑變換器區(qū)域精確對(duì)準(zhǔn),調(diào)節(jié)至合適耦合間距后采用紫外膠將光纖分別與固定塊和墊塊粘接固定;本發(fā)明方案簡(jiǎn)易可靠,工藝復(fù)雜度低,通用性好,適用于批量制作。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)為工業(yè)客戶(hù)和院?？蛻?hù)提供經(jīng)濟(jì)有效的系統(tǒng)解決方案。湖北多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)報(bào)價(jià)

根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈劃分，芯片從設(shè)計(jì)到出廠的中心環(huán)節(jié)主要包括6個(gè)部分：（1）設(shè)計(jì)軟件，芯片設(shè)計(jì)軟件是芯片公司設(shè)計(jì)芯片結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工具，目前芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)主要依靠EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）軟件來(lái)完成；（2）指令集體系，從技術(shù)來(lái)看，CPU只是高度聚集了上百萬(wàn)個(gè)小開(kāi)關(guān)，沒(méi)有高效的指令集體系，芯片沒(méi)法運(yùn)行操作系統(tǒng)和軟件；（3）芯片設(shè)計(jì)，主要連接電子產(chǎn)品、服務(wù)的接口；（4）制造設(shè)備，即生產(chǎn)芯片的設(shè)備；（5）圓晶代工，圓晶代工廠是芯片從圖紙到產(chǎn)品的生產(chǎn)車(chē)間，它們決定了芯片采用的納米工藝等性能指標(biāo)；（6）封裝測(cè)試，是芯片進(jìn)入銷(xiāo)售前的結(jié)尾一個(gè)環(huán)節(jié)，主要目的是保證產(chǎn)品的品質(zhì)，對(duì)技術(shù)需求相對(duì)較低。應(yīng)用到芯片的領(lǐng)域比如我們的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)。湖北多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)報(bào)價(jià)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處：可以并行執(zhí)行多個(gè)操作。

伴隨著光纖通信技術(shù)的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。當(dāng)前,我們把主流的光互聯(lián)技術(shù)分為兩類(lèi)。一類(lèi)是基于III-V族半導(dǎo)體材料,另一類(lèi)是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?；贗II-V族半導(dǎo)體材料的光互聯(lián)技術(shù),在光學(xué)性能方面較好,但是其成本高,工藝復(fù)雜,加工困難,集成度不高的缺點(diǎn)限制了未來(lái)大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結(jié)合在一起以及提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的激光器與硅光芯片耦合結(jié)構(gòu)及其封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法,發(fā)散的高斯光束從激光器芯片出射,經(jīng)過(guò)耦合透鏡進(jìn)行聚焦;聚焦過(guò)程中光路經(jīng)過(guò)隔離器進(jìn)入反射棱鏡,經(jīng)過(guò)反射棱鏡的發(fā)射,光路發(fā)生彎折并以一定的角度入射到硅光芯片的光柵耦合器上面,耦合進(jìn)硅光芯片。本發(fā)明所提供的激光器與硅光芯片耦合結(jié)構(gòu),其無(wú)需使用超高精度的耦合對(duì)準(zhǔn)設(shè)備,耦合過(guò)程易于實(shí)現(xiàn),耦合效率更高,且研發(fā)成本較低;激光器與硅光芯片耦合封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法,采用傳統(tǒng)TO工藝封裝光源,氣密性封裝,與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有比較強(qiáng)的可生產(chǎn)性,比較高的可靠性,更低的成本,更高的耦合效率,適用于400G硅光大功率光源應(yīng)用。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要是用整機(jī)模擬一個(gè)實(shí)際使用的環(huán)境,測(cè)試設(shè)備在無(wú)線環(huán)境下的射頻性能。

基于設(shè)計(jì)版圖對(duì)硅光芯片進(jìn)行光耦合測(cè)試的方法及系統(tǒng),該方法包括:讀取并解析設(shè)計(jì)版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標(biāo)簇?cái)?shù)據(jù),驅(qū)動(dòng)左側(cè)光纖對(duì)準(zhǔn)第1測(cè)試點(diǎn),獲取與第1測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第1選中信息,驅(qū)動(dòng)右側(cè)光纖對(duì)準(zhǔn)第二測(cè)試點(diǎn),獲取與第二測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第二選中信息,獲取與目標(biāo)測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第三選中信息,通過(guò)測(cè)試點(diǎn)圖形與測(cè)試點(diǎn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定目標(biāo)測(cè)試點(diǎn)的坐標(biāo),以驅(qū)動(dòng)左或右側(cè)光纖到達(dá)目標(biāo)測(cè)試點(diǎn),進(jìn)行光耦合測(cè)試;該系統(tǒng)包括上位機(jī),電機(jī)控制器,電機(jī),夾持載臺(tái)及相機(jī)等;本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)單,耗時(shí)短,對(duì)用戶(hù)依賴(lài)程度低等優(yōu)點(diǎn),能夠極大提高硅光芯片光耦合測(cè)試的便利性。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：價(jià)格實(shí)惠。湖北多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)報(bào)價(jià)

硅光芯片耦合測(cè)試該測(cè)量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸，不受強(qiáng)磁場(chǎng)、大電流及極低溫的影響和干擾。湖北多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)報(bào)價(jià)

硅光芯片是將硅光材料和器件通過(guò)特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調(diào)制器、探測(cè)器、無(wú)源波導(dǎo)器件等組成，將多種光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸帶寬更高等特點(diǎn)，因?yàn)楣韫庑酒怨枳鳛榧尚酒囊r底，所以能集成更多的光器件；在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著大規(guī)模生產(chǎn)的實(shí)現(xiàn)，硅光芯片的低成本成了巨大優(yōu)勢(shì)；硅光芯片的傳輸性能好，因?yàn)楣韫獠牧险凵渎什罡?，可以?shí)現(xiàn)高密度的波導(dǎo)和同等面積下更高的傳輸帶寬。像我們的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)就應(yīng)用到了大量的硅光芯片。湖北多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)報(bào)價(jià)