功率二極管是電子工程師不可避免打交道的元器件之一？你又對(duì)功率二極管有何見(jiàn)解呢？不清楚的童鞋不慌，本文主要匯總了關(guān)于功率二極管知識(shí)點(diǎn)，一起學(xué)習(xí)一下：1.什么是二極管的正向額定電流?二極管的額定電流是二極管的主要標(biāo)稱值，比如5A/100V的二極管，5A就是額定電流。通常額定電流的定義是該二極管所能通過(guò)的額定平均電流。但是有些的測(cè)試前是方波，也就是可以通過(guò)平均值為5A的方波電流。有些得測(cè)試前提是直流，也就是能通過(guò)5A的直流電流。理論上來(lái)說(shuō)，對(duì)于硅二極管，以方波為測(cè)試條件的二極管能通過(guò)更大的直流電流，因?yàn)橥瑯悠骄娏鞯姆讲ㄝ^于直流電流，會(huì)給二極管帶來(lái)更大損耗。那么5A的二極管是否一定能通過(guò)5A的電流?不一定，這個(gè)和溫度有關(guān)，當(dāng)你的散熱條件不足夠好，那么二極管能通過(guò)的電流會(huì)被結(jié)溫限制。2.什么是二極管的反向額定電壓?二極管反向截止時(shí)，可以承受一定的反壓，那么其比較高可承受的反壓就是額定電壓。比如5A/100V的二極管，其額定反壓就是100V。雖然，所有二極管廠家都會(huì)留一定的裕量，100V的二極管通常用到110V都不會(huì)有問(wèn)題，但是不建議這么用，因?yàn)槌^(guò)額定值，廠家就不會(huì)保證其可靠性，出了問(wèn)題就是你的問(wèn)題了。而且很多電源設(shè)計(jì)公司。上海藤谷電子科技有限公司致力于提供二極管，期待您的光臨！海南微型二極管規(guī)范

在所述肖特基結(jié)圖案對(duì)應(yīng)區(qū)域淀積金屬和硅形成金屬硅化物，得到肖特基結(jié)。在本申請(qǐng)的一種可能實(shí)施例中，在所述肖特基結(jié)及靠近所述肖特基結(jié)的氧化層上制作金屬層的步驟，包括：在真空度3e-6torr、溫度190℃的環(huán)境下持續(xù)加熱45分鐘，依次在所述肖特基結(jié)及靠近所述肖特基結(jié)的氧化層上沉積多層金屬，制作形成金屬層。在本申請(qǐng)的一種可能實(shí)施例中，在所述氧化層遠(yuǎn)離所述肖特基結(jié)的兩端進(jìn)行蝕刻形成防水槽的步驟，包括：在所述氧化層遠(yuǎn)離所述肖特基結(jié)兩端的表面涂覆光刻膠層；通過(guò)帶有防水槽圖案的掩模對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行光刻，在所述光刻膠層上刻出防水槽圖案；用腐蝕溶劑進(jìn)行腐蝕，將所述防水槽圖案轉(zhuǎn)移到所述氧化層；蝕刻所述防水槽圖案對(duì)應(yīng)區(qū)域的氧化層，形成防水槽。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種肖特基二極管及其制造方法，通過(guò)在氧化層開(kāi)設(shè)朝向外延層凹陷的防水槽，并在氧化層上制作填充于防水槽并在該防水槽對(duì)應(yīng)的位置處形成與防水槽咬合并凸起的鈍化層。鈍化層與氧化層通過(guò)上述凹凸咬合結(jié)構(gòu)層疊在一起，在肖特基二極管使用過(guò)程中，即便工作溫度發(fā)生變化，鈍化層與氧化層結(jié)合處的剪切力也不足以形成供水汽侵入肖特基結(jié)的微小縫隙。同時(shí)，因氧化層開(kāi)設(shè)有防水凹槽。海南微型二極管規(guī)范上海藤谷電子科技有限公司致力于提供二極管，有需要可以聯(lián)系我司哦！

沒(méi)有水流流過(guò)。上海衡麗圖3二極管的類比以及IV曲線以上，右圖是二極管為重要的IV曲線，基本上用到所有的二極管都需要重點(diǎn)開(kāi)此圖，從上圖可以清楚看出，不管二極管的正向電流或者反向電壓都不能超過(guò)額定值，否則會(huì)損壞。2.整流二極管利用二極管單向?qū)щ娦?，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動(dòng)直流電。圖4AC/DC轉(zhuǎn)換電路簡(jiǎn)圖3.續(xù)流二極管在開(kāi)關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負(fù)載中起續(xù)流作用，這個(gè)功能非常實(shí)用。在圖5中，開(kāi)關(guān)A和開(kāi)關(guān)B分別利用PFET和NFET開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)，構(gòu)成一個(gè)同步降壓調(diào)節(jié)器。“同步”一詞表示將一個(gè)FET用作低端開(kāi)關(guān)。用肖特基二極管代替低端開(kāi)關(guān)的降壓調(diào)節(jié)器稱為“異步”（或非同步）型。處理低功率時(shí)，同步降壓調(diào)節(jié)器更有效，因?yàn)镕ET的壓降低于肖特基二極管，主要由Rds(on)決定。然而，當(dāng)電感電流達(dá)到0時(shí)，如果底部FET未釋放，同步轉(zhuǎn)換器的輕載效率會(huì)降低，而且額外的控制電路會(huì)提高IC的復(fù)雜性和成本。肖特基二極管可以用作續(xù)流二極管，肖特基的PN結(jié)比較特殊，這使它具有非常小的結(jié)電容，存儲(chǔ)電荷很少，因此這種結(jié)具有非?？斓拈_(kāi)關(guān)速度，可以用于高速嵌位。肖特基二極管特長(zhǎng)是：開(kāi)關(guān)速度非?？?，反向恢復(fù)時(shí)間特別短。因此。

詳解肖特基二極管的作用及接法-肖特基二極管的應(yīng)用肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管的作用肖特基二極管的作用如下:肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航?。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見(jiàn)。一個(gè)典型的應(yīng)用，是在雙極型晶體管BJT的開(kāi)關(guān)電路里面，通過(guò)在BJT上連接Shockley二極管來(lái)箝位，使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)其實(shí)處于很接近截止?fàn)顟B(tài)，從而提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度。這種方法是74LS，74ALS，74AS等典型數(shù)字IC的TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。肖特基。上海藤谷電子科技有限公司二極管服務(wù)值得放心。

導(dǎo)通壓降VF：VF為二極管正向?qū)〞r(shí)二極管兩端的壓降，選擇肖特基二極管是盡量選擇VF較小的二極管。22.反向飽和漏電流IR：IR指在二極管兩端加入反向電壓時(shí)，流過(guò)二極管的電流，肖特基二極管反向漏電流較大，選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。33.額定電流IF：指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，根據(jù)允許溫升折算出來(lái)的平均電流值。44.比較大浪涌電流IFSM：允許流過(guò)的過(guò)量的正向電流。它不是正常電流，而是瞬間電流，這個(gè)值相當(dāng)大。55.比較大反向峰值電壓VRM：即使沒(méi)有反向電流，只要不斷地提高反向電壓，遲早會(huì)使二極管損壞。這種能加上的反向電壓，不是瞬時(shí)電壓，而是反復(fù)加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓，它的比較大值是規(guī)定的重要因子。比較大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的比較大反向電壓。66.比較大直流反向電壓VR：上述比較大反向峰值電壓是反復(fù)加上的峰值電壓，VR是連續(xù)加直流電壓時(shí)的值。用于直流電路，比較大直流反向電壓對(duì)于確定允許值和上限值是很重要的。77.比較高工作頻率fM：由于PN結(jié)的結(jié)電容存在，當(dāng)工作頻率超過(guò)某一值時(shí)，它的單向?qū)щ娦詫⒆儾睢Ｐぬ鼗O管的fM值較高，比較大可達(dá)100GHz。上海藤谷電子科技有限公司是一家專業(yè)提供二極管的公司，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！海南微型二極管規(guī)范

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而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒(méi)有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。肖特基二極管和穩(wěn)壓二極管的區(qū)別肖特基二極管不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。海南微型二極管規(guī)范