根據(jù)中國商業(yè)資訊研究院的數(shù)據(jù)，全球通訊行業(yè)功率半導(dǎo)體的市場規(guī)模將有2017年的億美元增長至2021年的億美元，年復(fù)合增長率為。功率半導(dǎo)體在物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)應(yīng)用：傳感器技術(shù)、射頻識別技術(shù)、二維碼技術(shù)、微機電系統(tǒng)和GPS技術(shù)是實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)的五大技術(shù)，每一項技術(shù)的實現(xiàn)都離不開功率半導(dǎo)體的支持，勢必將帶來功率半導(dǎo)體需求的增長。另一方面,受移動互聯(lián)網(wǎng)與物聯(lián)網(wǎng)的影響，全球集成電路產(chǎn)業(yè)的調(diào)整力度正在加大。物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備需要隨時處在供電模式且新增的數(shù)據(jù)收集及傳輸環(huán)節(jié)增大了用電需求，為功率半導(dǎo)體創(chuàng)造了額外的增長空間。后，相比其他設(shè)備物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對高精密度和低功率有著更高的要求，出于節(jié)能方面的考慮，需要通過加裝負(fù)載開關(guān)等功率半導(dǎo)體原件來實現(xiàn)每一用電端的單獨控制，從而降低設(shè)備功耗。中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，中國物聯(lián)網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)規(guī)模增至7500億元，“十二五”期間年復(fù)合增長率達(dá)到25%。預(yù)計2020年，中國物聯(lián)網(wǎng)整體規(guī)模將達(dá)到萬億元。國內(nèi) 能性。上海藤谷電子科技有限公司致力于提供二極管，歡迎新老客戶來電！湖北品質(zhì)二極管成本

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：本發(fā)明實施例提供了一種用于整流電路的肖特基二極管，包括：襯底層001、ge層002、壓應(yīng)力層003、金屬電極a1、第二金屬電極a2，其中，所述ge層002、所述氮化硅層依次層疊設(shè)置于所述襯底層001的表面，所述壓應(yīng)力層003設(shè)置有電極孔，所述金屬電極a1設(shè)置于所述ge層002上且設(shè)置于所述電極孔中，所述第二金屬電極a2設(shè)置于所述襯底層001與所述表面相對設(shè)置的第二表面。在本發(fā)明的一個實施例中，所述ge層002為n型ge層，摻雜濃度為×1014～2×1014cm-3。在本發(fā)明的一個實施例中，所述壓應(yīng)力層003為氮化硅層。在本發(fā)明的一個實施例中，所述氮化硅層為si3n4膜。在本發(fā)明的一個實施例中，所述壓應(yīng)力層003使所述ge層002內(nèi)產(chǎn)生壓應(yīng)力，所述ge層002中的壓應(yīng)力的大小與制備所述壓應(yīng)力層003的反應(yīng)溫度相關(guān)，其中，所述反應(yīng)溫度越高，所述ge層002中的壓應(yīng)力越大。在本發(fā)明的一個實施例中，所述ge層002的厚度為700～800nm。在本發(fā)明的一個實施例中，所述襯底層001為n型單晶ge層。在本發(fā)明的一個實施例中，所述金屬電極a1為鎢電極。在本發(fā)明的一個實施例中，所述電極孔貫穿所述壓應(yīng)力層003且設(shè)置于所述壓應(yīng)力層003中部。湖北品質(zhì)二極管成本二極管，就選上海藤谷電子科技有限公司，讓您滿意，期待您的光臨！

Schottky）二極管的比較大特點是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要考慮。肖特基二極管的作用及其接法肖特基二極管的作用及其接法,肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。1、肖特基二極管的作用及其接法-整流利用肖特基二極管單向?qū)щ娦裕梢园逊较蚪惶孀兓慕涣麟娮儞Q成單一方向的脈沖直流電。在電路中，電流只能從肖特基二極管的正極流入，負(fù)極流出。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子，在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加電壓使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為）,稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態(tài)。肖特基二極管主要用于各種低頻半波整流電路，全波整流。整流橋就是將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個肖特基二極管封在一起。半橋是將四個肖特基二極管橋式整流的一半封在一起。

并部分延伸至所述氧化層上；在所述氧化層遠(yuǎn)離所述肖特基結(jié)的兩端進行蝕刻形成防水槽；在所述氧化層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)制作鈍化層，其中，所述鈍化層包括填充于所述防水槽并在所述防水槽的位置形成與防水槽咬合的凸起。在本申請的一種可能實施例中，蝕刻所述氧化層，在所述外延層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成半導(dǎo)體環(huán)的步驟，包括：在所述氧化層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)均勻涂覆光刻膠層；通過帶有半導(dǎo)體環(huán)圖案的掩模對所述光刻膠層進行光刻，在所述光刻膠層上刻出半導(dǎo)體環(huán)圖案；使用腐蝕溶劑對所述氧化層進行腐蝕，將所述半導(dǎo)體環(huán)圖案轉(zhuǎn)移到所述氧化層；使用光刻膠溶劑將所述氧化層殘留的光刻膠去除；在所述半導(dǎo)體環(huán)圖案對應(yīng)區(qū)域注入離子，經(jīng)擴散爐中退火處理在所述半導(dǎo)體環(huán)圖案對應(yīng)區(qū)域形成半導(dǎo)體環(huán)。在本申請的一種可能實施例中，將所述半導(dǎo)體環(huán)之間的所述氧化層蝕刻掉，在蝕刻后形成的區(qū)域中制作肖特基結(jié)的步驟，包括：在所述氧化層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)涂覆光刻膠層；通過帶有肖特基結(jié)圖案的掩模對所述光刻膠層進行光刻，在所述光刻膠層上刻出肖特基結(jié)圖案；用腐蝕溶劑進行腐蝕，將所述肖特基結(jié)圖案轉(zhuǎn)移到所述氧化層；蝕刻所述肖特基結(jié)圖案對應(yīng)區(qū)域內(nèi)殘留的氧化層；通過物相淀積法。上海藤谷電子科技有限公司致力于提供二極管，有需要可以聯(lián)系我司哦！

在所述肖特基結(jié)圖案對應(yīng)區(qū)域淀積金屬和硅形成金屬硅化物，得到肖特基結(jié)。在本申請的一種可能實施例中，在所述肖特基結(jié)及靠近所述肖特基結(jié)的氧化層上制作金屬層的步驟，包括：在真空度3e-6torr、溫度190℃的環(huán)境下持續(xù)加熱45分鐘，依次在所述肖特基結(jié)及靠近所述肖特基結(jié)的氧化層上沉積多層金屬，制作形成金屬層。在本申請的一種可能實施例中，在所述氧化層遠(yuǎn)離所述肖特基結(jié)的兩端進行蝕刻形成防水槽的步驟，包括：在所述氧化層遠(yuǎn)離所述肖特基結(jié)兩端的表面涂覆光刻膠層；通過帶有防水槽圖案的掩模對所述光刻膠層進行光刻，在所述光刻膠層上刻出防水槽圖案；用腐蝕溶劑進行腐蝕，將所述防水槽圖案轉(zhuǎn)移到所述氧化層；蝕刻所述防水槽圖案對應(yīng)區(qū)域的氧化層，形成防水槽。本申請實施例提供一種肖特基二極管及其制造方法，通過在氧化層開設(shè)朝向外延層凹陷的防水槽，并在氧化層上制作填充于防水槽并在該防水槽對應(yīng)的位置處形成與防水槽咬合并凸起的鈍化層。鈍化層與氧化層通過上述凹凸咬合結(jié)構(gòu)層疊在一起，在肖特基二極管使用過程中，即便工作溫度發(fā)生變化，鈍化層與氧化層結(jié)合處的剪切力也不足以形成供水汽侵入肖特基結(jié)的微小縫隙。同時，因氧化層開設(shè)有防水凹槽。二極管，就選上海藤谷電子科技有限公司，有想法的可以來電咨詢！湖北品質(zhì)二極管成本

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本發(fā)明屬于無線傳輸技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于整流電路的肖特基二極管。背景技術(shù)：整流電路是無線傳輸接收端整流天線的一個重要組成部分，同時也是決定整流天線整流效率的重要的一個因素。整流電路中重要的組成部分為整流二極管，它也是決定整流效率的重要因素。常用的整流二極管為肖特基二極管，肖特基二極管使采用金屬和半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制成，其功耗低、電流大，反向恢復(fù)時間極短，正向?qū)妷旱?，使其成為中、小功率的整流二極管。整肖特基二極管即整流天線內(nèi)的肖特基二極管的性能，決定著無線傳輸系統(tǒng)中的比較高轉(zhuǎn)換效率的大小?，F(xiàn)有技術(shù)中對肖特基二極管如何提高電子遷移率的研究稀少，且制在通過對肖特基二極管的結(jié)構(gòu)采用特殊設(shè)計以提高電子遷移率的研究上，該種方法通常制備的肖特基二極管器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，元件封裝結(jié)構(gòu)、互連復(fù)雜。如何提高肖特基二極管的電子遷移率且制備的肖特基二極管結(jié)構(gòu)簡單以提高整流電路的轉(zhuǎn)換效率具有研究的必要。技術(shù)實現(xiàn)要素：為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種用于整流電路的肖特基二極管及整流電路。湖北品質(zhì)二極管成本

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