基本信息中文名稱:氧化鉿分子式:HfO?英文名稱:Hafnium(IV)oxide英文別名:Hafniumoxideoffwhitepowder;Hafniumdioxide;Hafniumoxidesinteredlumps;Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;Hafniumoxide;hafnium(+4)cation;oxygen(-2)anion;dioxohafniumEINECS:235-013-2分子量:210.4888毒理學(xué)數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象。性質(zhì)與穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸。氧化鉿的拓撲分子極性表面積？甘肅氧化鉿供應(yīng)

產(chǎn)品特點：白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3，10.1和9.68g/cm3。熔點2780~2920K。沸點5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。產(chǎn)品應(yīng)用：二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。甘肅氧化鉿供應(yīng)氧化鉿是指二氧化鉿嗎？

氧化鉿性質(zhì)熔點2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形態(tài)powder顏色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS數(shù)據(jù)庫12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化學(xué)物質(zhì)信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿Chemicalbook繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~1865℃時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。

中文名氧化鉿(IV)英文名Hafnium(IV)oxide中文別名氧化鉿(III)|二氧化鉿|氧化鉿物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~1865℃Chemicalbook時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達到形成CaHfO3時，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點3031K，沸點5673K。氧化鉿的應(yīng)用領(lǐng)域有那些？

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿的英文名稱是什么？甘肅氧化鉿供應(yīng)

氧化鉿的生態(tài)學(xué)資料？甘肅氧化鉿供應(yīng)

化學(xué)試劑四氯化鉿硝酸銀，實驗室儀器研磨儀，實驗室耗材PFA瓶，化學(xué)原料非離子表面活性劑集聚化，是供給過剩、價格下行的必然趨勢。集中度的提高，可以使得龍頭企業(yè)通過調(diào)整自身生產(chǎn)保證產(chǎn)品的收入能力，與上下游爭奪議價權(quán)，象征企業(yè)如英力士等。如今自動化生產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)開始普及，其化學(xué)原料及產(chǎn)品（除危險化學(xué)品，監(jiān)控化學(xué)品，煙花爆竹，民用爆炸品，易制毒化學(xué)品），儀器設(shè)備，實驗室耗材，機電設(shè)備不銹鋼管件銷售，信息咨詢服務(wù)（不含許可類信息咨詢服務(wù)）；室內(nèi)外裝潢；廣告制作及發(fā)布，貨物或技術(shù)進出口技術(shù)也在加速成熟、設(shè)備的成本在不斷下降，這些都促成了大部分企業(yè)完全能夠?qū)崿F(xiàn)智能制造。智能制造是一個不斷追尋的目標，其重點是采用極優(yōu)的制造管理方法、自動化信息化技術(shù)，起到省人、增效、降本的作用，并終實現(xiàn)為企業(yè)贏利。作為化學(xué)試劑四氯化鉿硝酸銀，實驗室儀器研磨儀，實驗室耗材PFA瓶，化學(xué)原料非離子表面活性劑的重要組成部分，防銹顏料發(fā)揮著減緩金屬腐蝕的效果，常見的含重金屬的防銹顏料雖然性能優(yōu)異，但對環(huán)境會造成極大污染，因而在實際使用中逐漸受到限制。第三方物流的產(chǎn)生是社會專業(yè)化分工的體現(xiàn)，化工企業(yè)通過將非重點業(yè)務(wù)外包給專業(yè)公司，可以更傾向于將有限的資源集中發(fā)展重點業(yè)務(wù)。因此，化工物流行業(yè)的發(fā)展前景廣闊。甘肅氧化鉿供應(yīng)

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