作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材的比較大厚度為28-30mm，例如可以是28mm、28.1mm、28.2mm、28.3mm、28.4mm、28.5mm、28.6mm、28.7mm、28.8mm、28.9mm、29mm、29.1mm、29.2mm、29.3mm、29.4mm、29.5mm、29.6mm、29.7mm、29.8mm、29.9mm或30mm等，但不限于所列舉的數(shù)值，該范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材包括用于濺射的濺射面。 地，所述濺射面包括***平面、第二平面和斜面。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述斜面與水平面的夾角≤10°，例如可以是10°、9°、8°、7°、6°、5°、4°、3°、2°或1°等，但不限于所列舉的數(shù)值，該范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述斜面位于所述***平面和第二平面之間。 地，所述平面為圓形。 地，所述第二平面為環(huán)形。ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結(jié)靶材。蘇州LaFeO3靶材型號(hào)

利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對(duì)所制備的非晶硅薄膜進(jìn)行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時(shí)間、氬氣氣壓等因素對(duì)非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會(huì)隨濺射功率、濺射時(shí)間和濺射氣壓的增加而增大，而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。   對(duì)制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時(shí)間進(jìn)行了退火處理。再利用X- 射線衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀，對(duì)不同退火溫度的樣品進(jìn)行晶化程度的表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發(fā)生不同程度的晶化，并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發(fā)生晶化;退火溫度越高，非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外，通過(guò)拉曼激光誘導(dǎo)晶化，結(jié)果表明：拉曼激光誘導(dǎo)非晶硅晶化為局域晶化，具有晶化速度快的特點(diǎn);晶化過(guò)程中，需要控制激光強(qiáng)度，過(guò)強(qiáng)的激光會(huì)把非晶硅薄膜燒蝕掉。

蘇州LaFeO3靶材型號(hào)因?yàn)橛锰幉灰粯?，所以不同用途的靶材?duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。

拋光片300包括拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330。所述拋光片部分310設(shè)置于所述頂板210的底部。所述拋光片第二部分320設(shè)置于所述頂板210與所述側(cè)板220的拐角處，且在所述拋光片部分310及拋光片第三部分330間平滑的過(guò)渡。所述拋光片第三部分330設(shè)置于所述側(cè)板220的內(nèi)側(cè)面上，所述拋光片第三部分330表面與拋光片部分310表面垂直。拋光片第二部分320呈弧狀，與經(jīng)圓角處理的靶材側(cè)棱相匹配，可對(duì)靶材側(cè)棱進(jìn)行拋光。所述拋光片第三部分330表面為平整的平面，能夠?qū)Π胁膫?cè)壁表面進(jìn)行拋光。因此所述靶材拋光裝置100能夠同時(shí)對(duì)靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進(jìn)行拋光，有助于提高拋光作業(yè)效率。

PECVD 制備氫化非晶硅薄膜   本實(shí)驗(yàn)采用單晶硅片為襯底，按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干，然后置于PECVD系統(tǒng)中。樣品制備條件為襯底溫度250℃，工作氣壓120 Pa， 射頻功率100 W， 氣體流量SiH4/H2=15/5 sccm， 沉積時(shí)間30min， 制備得到a- Si：H 薄膜樣品。   (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度會(huì)隨著濺射功率的增大而增大，膜的均勻性將會(huì)變差;   (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小，非晶硅薄膜均勻性變好;   (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范圍內(nèi)，隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大;   (4) 隨著濺射時(shí)間的增加, 膜的厚度成非線性增加，沉積速率開始較快，之后逐漸減慢，膜的表面粗糙度逐漸變大;   (5)隨著濺射氣壓的增大，沉積速率有所降低。

不同用途的靶材對(duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種靶材拋光裝置。背景技術(shù)：濺射鍍膜屬于物相沉積方法制備薄膜的工藝之一，具體是指利用高能粒子轟擊靶材表面，使得靶材原子或分子獲得足夠的能量逸出，并沉積在基材或工件表面，從而形成薄膜。由于背板具有良好的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能，且還可以起到固定支撐作用，因此，靶材在鍍膜前需與背板焊接在一起，然后共同裝配至濺射基臺(tái)。一般活性金屬靶材，例如鋁靶材，由于長(zhǎng)期暴露在空氣中，靶材表面材料容易氧化形成一層氧化皮。在直流脈沖、中頻濺射過(guò)程中，離子撞擊的能量不足以破壞該氧化皮，導(dǎo)致靶材原子或分子難以逸出，因此在將靶材安裝至濺射基臺(tái)之前，需要對(duì)靶材表面進(jìn)行拋光。此外，對(duì)于活性金屬靶材及非活性金屬靶材，拋光操作有利于改善靶材的濺射速率的穩(wěn)定性，有助于提高濺射鍍膜質(zhì)量。目前業(yè)內(nèi)通常采用人工手動(dòng)對(duì)靶材表面進(jìn)行拋光，即操作人員手持砂紙對(duì)靶材的各個(gè)表面進(jìn)行拋光，作業(yè)效率低。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。蘇州LaFeO3靶材型號(hào)

一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶中毒后濺射速率低。蘇州LaFeO3靶材型號(hào)

靶材的雜質(zhì)含量。在經(jīng)過(guò)一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因?yàn)橛锰幉灰粯?，所以不同用途的靶材?duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。比如現(xiàn)在的半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對(duì)堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一.在靶材的技術(shù)工藝中為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，一般是要求靶材必須具有較高的密度。因?yàn)榘胁闹饕匦悦芏葘?duì)濺射速率有著很大的影響，并且影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。蘇州LaFeO3靶材型號(hào)

江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國(guó)外的先進(jìn)技術(shù)，并通過(guò)與國(guó)內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢(shì)，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽(yáng)能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時(shí)也為國(guó)內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗(yàn)用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺(tái)，冷壓燒結(jié)爐一臺(tái)，真空熔煉設(shè)備兩臺(tái)，等靜壓設(shè)備一臺(tái)，等離子噴涂?jī)商?，綁定平臺(tái)兩套，各類機(jī)加工設(shè)備七臺(tái)，檢驗(yàn)設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過(guò)客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。