同濃度Ce: YAP的熒光光譜。在可見光(300納米)激發(fā)下，不同濃度Ce: YAP的熒光強(qiáng)度隨著濃度的增加而增加，直到0.5at%。當(dāng)濃度為1.0at%時，濃度淬滅，發(fā)光強(qiáng)度開始降低。相同厚度(5mm)的Ce: YAP晶體在X射線激發(fā)下的發(fā)光強(qiáng)度隨著濃度的增加先增大后減小，峰值位置也有紅移，其中0.3at%處的發(fā)光強(qiáng)度比較高。自吸收對光致發(fā)光幾乎沒有影響，因?yàn)榧ぐl(fā)和發(fā)射過程都發(fā)生在樣品表面。在高能射線的激發(fā)下，經(jīng)過多次電離過程，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的電子-空穴對，電子-空穴對將能量傳遞到發(fā)光中心，發(fā)光過程基本發(fā)生在晶體內(nèi)部。結(jié)果發(fā)現(xiàn)兩價離子對Ce:YAP晶體閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，四價離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。江西雙摻CeYAP晶體生產(chǎn)

據(jù)報道，F(xiàn)e3和Fe2離子分別在260納米和227納米附近有吸收[98，99]，純YAP在260納米附近也有吸收。為了了解255納米附近的吸收峰特性，我們生長并研究了純YAP晶體和濃度為0.2%的YAP:鐵。通過透射率的比較，我們粗略分析了純YAP和YAP: Fe晶體中可能的色心及其對ce3360ap自吸收的影響。 Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體的區(qū)別？Ce:YAP晶體在弱還原氣氛中生長，發(fā)現(xiàn)晶體的自吸收被有效壓制。與在惰性氣氛中生長的樣品相比，厚度為2mm的樣品的透射邊緣移動了近30納米，發(fā)光強(qiáng)度提高了50%以上。同時，研究了還原氣氛生長對Ce: YAP晶體其他閃爍性能的影響。江西雙摻CeYAP晶體生產(chǎn)CeYAP晶體電子陷阱中捕獲的電子受環(huán)境影響較小。

對于摻Ce3的無機(jī)閃爍晶體，高能射線作用下的閃爍機(jī)制一般認(rèn)為如下:晶體吸收高能射線后，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱化電子空穴對。由于鈰元素的四階電離能是所有稀土元素中比較低的(如圖1-6所示)，晶體發(fā)光中心的Ce3離子首先俘獲一個空穴形成Ce4離子。然后一個電子被捕獲，變成Ce3。此時，電子和空穴被鈰離子重組。復(fù)合產(chǎn)生的能量將Ce3離子從4f基態(tài)激發(fā)到5d激發(fā)態(tài)，然后Ce3離子從5d激發(fā)態(tài)輻射弛豫到4f基態(tài)發(fā)光由于摻雜鈰離子的無機(jī)閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點(diǎn)。

可以假設(shè)這種情況存在于NaI: Tl閃爍體中，因?yàn)槠渲蠽k中心的遷移時間小于10-7s。另一個模型假設(shè)空穴與Vk中心分離，從價帶向發(fā)光中心移動。由于非局域空穴的高遷移率，這是一種將能量轉(zhuǎn)移到發(fā)光中心的快速方法。閃爍過程的后面一個階段，即發(fā)光中心的發(fā)射，已經(jīng)得到了徹底的研究。我們上面已經(jīng)提到了一些啟動過程。目前發(fā)光中心一般分為內(nèi)在和外在兩類。鹵化物和氧化物的本征發(fā)光主要受自陷激子效應(yīng)的制約。非本征發(fā)光主要取決于激發(fā)劑本身的電子躍遷(NaI: Tl，CaF2: Eu)或基質(zhì)與激發(fā)劑之間的躍遷(znse3360te，zns:ag)。而一些所謂的自激閃爍晶體(CeF3，Bi4Ge3O12，CaWO4)處于本征發(fā)光和非本征發(fā)光的中間狀態(tài)。 分析CeYAP晶體的自吸收機(jī)制，發(fā)現(xiàn)Ce4離子有一個電荷轉(zhuǎn)移吸收峰，其半峰全寬接近100納米。

哪里可以買到CeYAP晶體？需要說明的是：(1)透鏡的作用是便于調(diào)節(jié)，使得激光光斑和閃爍體尺寸相適應(yīng)，激光能夠比較均勻地輻照到晶體上；(2)要避免激光透過晶體直接打到光電管光陰極上，以防止損傷光電管和記錄示波器；(3)為了避免激光經(jīng)閃爍體散射而打到光電管光陰極上，之前加濾鏡是為了將波長較短的散射激光(266nm)濾掉，同時讓波長相對長的閃爍晶體的激發(fā)熒光通過；(4)整個實(shí)驗(yàn)需要在暗室中進(jìn)行。數(shù)據(jù)分析方法與 X 射線激發(fā)熒光壽命相似。 Ce:YAP晶體中Ce3離子5d4f躍遷對應(yīng)的熒光光譜為330 ~ 400nm之間的一個帶，其峰值約為365 ~ 370nm。CeYAP晶體中存在著生長條紋、包裹沉積物、關(guān)鍵、孿晶及位錯簇等。江西雙摻CeYAP晶體生產(chǎn)

CeYAP晶體在對閃爍晶體CeYAP的研究過程中 ，發(fā)現(xiàn)了YAP晶體的變色現(xiàn)象。江西雙摻CeYAP晶體生產(chǎn)

這里來為大家介紹下，不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。ce : YaP晶體生長的溫場調(diào)整，在晶體生長過程中，除了控制部分，坩堝形狀和位置、保溫罩結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)速、拉速、氣氛等因素都會對晶體質(zhì)量產(chǎn)生影響。為了生長大尺寸晶體，有效改變晶體生長的溫場和熔體對流狀態(tài)，我們采用大直徑銥坩堝進(jìn)行生長，并設(shè)計(jì)了相應(yīng)的保溫罩系統(tǒng)。同時，在生長過程基本穩(wěn)定后，我們通過適當(dāng)改變氧化鋯體系的結(jié)構(gòu)和調(diào)整晶體生長的溫場來尋求比較好的生長條件。江西雙摻CeYAP晶體生產(chǎn)

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